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FQD19N10TM_F080 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 7.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.6A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQD19N10 F Spezialisierte heiße ICs 964
FQD19N10L FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 287
FQD19N10L FQD19N10 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2675
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FQD19N10LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3090
FQD19N10LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1201
FQD19N10LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18693
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FQD19N10LTM ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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FQD19N10TM_F080 Markenhersteller: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQD19N10TM_F080 Referenzpreis. FQD19N10TM_F080 Parameter, FQD19N10TM_F080 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQD19N10TM_F080 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQD19N10TM_F080 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQD19N10TM_F080 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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