FQD2N60CTF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQD2N100 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 20446
FQD2N100TF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2708
FQD2N100TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2524
FQD2N100TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6627
FQD2N100TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6627
FQD2N100TM ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQD2N100TM MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 4930
FQD2N30 FAI Spezialisierte heiße ICs 7000
FQD2N30 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2779
FQD2N30TF VB Spezialisierte heiße ICs 5000

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