FQD3N30TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 1.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
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FQD3N25T FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2685
FQD3N25TM FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2495
FQD3N30 FAI Spezialisierte heiße ICs 2688
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FQD3N40 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2806
FQD3N40T FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2800
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