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FQI12N60TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQI12N50TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2738
FQI12N50TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2586
FQI12N60C FSC Spezialisierte heiße ICs 8000
FQI12N60CTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 309
FQI12N60CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3128
FQI12N60TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 572
FQI12P20 FSC Spezialisierte heiße ICs 2706
FQI12P20TU FSC Spezialisierte heiße ICs 2760

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