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FQI16N25CTU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 7.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.6A (Tc)
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FQI16N15TU FSC Spezialisierte heiße ICs 2134
FQI16N15TU MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2121
FQI16N25CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0

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