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FQI4N80TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQI4N20 FSC Spezialisierte heiße ICs 3500
FQI4N20L FSC Spezialisierte heiße ICs 466
FQI4N20LTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2630
FQI4N20LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
FQI4N20TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3000
FQI4N20TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3000
FQI4N20TU Rochester Electronics, LLC FQI4N20TU
FQI4N25 FSC Spezialisierte heiße ICs 8000
FQI4N25TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2530
FQI4N25TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2682

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