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FQI50N06TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1540pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQI50N06 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2697
FQI50N06L VB Spezialisierte heiße ICs 2000
FQI50N06LTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2620
FQI50N06LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2703
FQI50N06TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2530
FQI50N06TU ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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FQI50N06TU Markenhersteller: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQI50N06TU Referenzpreis. FQI50N06TU Parameter, FQI50N06TU Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQI50N06TU Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQI50N06TU Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQI50N06TU Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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