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FQI7N60TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3.7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQI7N10LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2657
FQI7N10LTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2796
FQI7N10TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2696
FQI7N10TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2599
FQI7N50 FSC Spezialisierte heiße ICs 2711
FQI7N60 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 1140
FQI7N60TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3474
FQI7N60TU ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQI7N80 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 421
FQI7N80TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 433

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