FQP12N60 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQP12N20 FSC Spezialisierte heiße ICs 1372
FQP12N20 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 648
FQP12N40 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 353
FQP12N50 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2690
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FQP12N60C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 28382
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FQP12N60C ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQP12N65C VB Spezialisierte heiße ICs 5000
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