FQP30N06L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 32A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
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FQP30N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8246
FQP30N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 120190
FQP30N06 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQP30N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 25447
FQP30N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 96142
FQP30N06L ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQP30N10 Original Spezialisierte heiße ICs 6300

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