FQPF2N90 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 Ohm @ 700mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQPF20N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 47632
FQPF20N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 47632
FQPF20N06 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQPF20N06 IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1224
FQPF20N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 461
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FQPF20N06L Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5223
FQPF20N06L ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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FQPF20N10 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 348

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