FQPF5N50CT Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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FQPF50N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 45318
FQPF50N06 MOSFETIGBTIC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 314
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FQPF50N06L Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32629
FQPF55N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25254
FQPF55N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9863
FQPF55N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 24319
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