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FQU1N60TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQU1N50 FSC Spezialisierte heiße ICs 5000
FQU1N50C FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2350
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