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FSB660A Technische Spezifikationen

TRANS PNP 60V 2A SSOT-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 500mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package 3-SSOT
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 75MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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FSB660A ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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