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HUF75307T3ST Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223-4
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 20V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
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