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KSD261YBU Technische Spezifikationen

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSD261 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 10213
KSD261CGBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2665
KSD261CGBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSD261CGTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1611
KSD261CGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2993
KSD261CGTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD261CYBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2528
KSD261CYBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2677
KSD261CYBU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD261CYTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2768

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