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KSD560Y Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 1.5W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5000 @ 3A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 3mA, 3A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSD560-R FAI Spezialisierte heiße ICs 774
KSD560OTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2716
KSD560OTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2532
KSD560OTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD560R Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2694
KSD560R AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2698
KSD560R ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD560RTSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3763
KSD560RTSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 4148
KSD560RTSTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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