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KSE802STU Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSE800 FSC Spezialisierte heiße ICs 308
KSE800S Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2577
KSE800S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSE800S ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSE800STSSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
KSE800STSSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSE800STU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2680
KSE800STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 115
KSE800STU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSE801STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0

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