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MJD32CTM Technische Spezifikationen

TRANS PNP 100V 3A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.56W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD32 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3800
MJD32B TO-252 Spezialisierte heiße ICs 766
MJD32BT4 ST Spezialisierte heiße ICs 709
MJD32C STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 29907
MJD32C IC PANJIT Spezialisierte heiße ICs 5255
MJD32C-1 ON Spezialisierte heiße ICs 2651
MJD32C-13 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 498
MJD32C-1G ON Spezialisierte heiße ICs 876
MJD32C-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2581
MJD32C-TP Micro Commercial Co Einzelne BJT-Transistoren

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