MPSH10_D27Z Technische Spezifikationen

TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Frequency - Transition 650MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 350mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MPSH10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 5465
MPSH10 Rochester Electronics, LLC RF-BJT-Transistoren
MPSH10 Central Semiconductor Corp RF-BJT-Transistoren
MPSH10 ON Semiconductor RF-BJT-Transistoren
MPSH10-08 PHILPP Spezialisierte heiße ICs 1232
MPSH10-AP Micro Commercial Co RF-BJT-Transistoren
MPSH10-BP Micro Commercial Co RF-BJT-Transistoren
MPSH10G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 4313
MPSH10G ON Semiconductor RF-BJT-Transistoren
MPSH10L UTC Spezialisierte heiße ICs 1393

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