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NDS352P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package SuperSOT-3
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 850mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NDS351 FSC Spezialisierte heiße ICs 1156
NDS351A Fairchild Spezialisierte heiße ICs 2603
NDS351AN Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1263
NDS351AN AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 70418
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