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1N1206AR Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A
Supplier Device Package DO-4
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 200°C
Diode Type Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io) 12A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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1N1200A Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2720
1N1200AR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2630
1N1200AR Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2765
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