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MBR120200CT Technische Spezifikationen

DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 60A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 1mA @ 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 60A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBR120 KF Spezialisierte heiße ICs 120352
MBR120 X2 KF Spezialisierte heiße ICs 60000
MBR1200 PANJIT Spezialisierte heiße ICs 10266
MBR120100 MOTOROLA IGBT-Module 2874
MBR120100CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2772
MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2571
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MBR120150CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2755
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