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MBR12035CT Technische Spezifikationen

DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650mV @ 120A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 120A (DC)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBR120 KF Spezialisierte heiße ICs 120352
MBR120 X2 KF Spezialisierte heiße ICs 60000
MBR1200 PANJIT Spezialisierte heiße ICs 10266
MBR120100 MOTOROLA IGBT-Module 2874
MBR120100CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2772
MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2571
MBR120100R MOTOROLA IGBT-Module 2839
MBR120150CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2755
MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2593
MBR120150WT Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions Dioden - Gleichrichter - Arrays 2609

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