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MBR20045CT Technische Spezifikationen

DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650mV @ 100A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 45V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 5mA @ 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBR200100 MOTOROLA IGBT-Module 2797
MBR200100CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2727
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2700
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2518
MBR200100R MOTOROLA IGBT-Module 2689
MBR20010CT MOTOROLA IGBT-Module 2600
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2682
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2730
MBR20015CTL MOTOROLA IGBT-Module 2844
MBR20020 MOTOROLA IGBT-Module 3000

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