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MBR300150CTR Technische Spezifikationen

DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880mV @ 150A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 150V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 150A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBR300/100CT IGBT Module IGBT-Module 2853
MBR300100 IGBT Module IGBT-Module 2990
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2792
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2715
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2645
MBR30020 MOTOROLA IGBT-Module 2890
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2508
MBR300200CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2609
MBR30020CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2775
MBR30020CTL GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2526

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