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MBR400150CTR Technische Spezifikationen

DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880mV @ 200A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 150V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBR400100 IGBT Module IGBT-Module 2340
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 1418
MBR400100CTL ON IGBT-Module 2772
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2712
MBR400100TC MOTORO IGBT-Module 2686
MBR400150CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2500
MBR400200CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2766
MBR400200CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2559
MBR40020CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2704
MBR40020CTL GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2757

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