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MBR600200CTR Technische Spezifikationen

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 300A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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