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MUR10060CT Technische Spezifikationen

DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 50A
Supplier Device Package Twin Tower
Reverse Recovery Time (trr) 110ns
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A (DC)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
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MUR100-6 MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 1848
MUR10005 MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2758
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2845
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2593
MUR10010 MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2953
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2931
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2663
MUR10015CT MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 2796
MUR10020 IGBT Module IGBT-Module 2786
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2841

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