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MUR20040CT Technische Spezifikationen

DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 50A
Supplier Device Package Twin Tower
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2747
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2581
MUR20010 MOTOROLA IGBT-Module 2840
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2956
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2522
MUR20020 MOTOROLA IGBT-Module 2964
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2952
MUR20020CTL MOTOROLA IGBT-Module 2748
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2870
MUR20030CT MOTOROLA IGBT-Module 2793

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