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MURT20040 Technische Spezifikationen

DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 100A
Supplier Device Package Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Package / Case Three Tower
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MURT20005 GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2768
MURT20005R GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2783
MURT20010 GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2595
MURT20010R GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2639
MURT20020 GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2532
MURT20020R GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2657
MURT20040R GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2545
MURT20060 GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2543
MURT20060R GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2694

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