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GP1M003A080H Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 696pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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