GSID080A120B1A5 Technische Spezifikationen

SILICON IGBT MODULES

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Power - Max 1710W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Single 1200V 160A 1710W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 160A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Series Amp+™
Package / Case Module
NTC Thermistor Yes
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Single
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