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GSID150A120S6A4 Technische Spezifikationen

SILICON IGBT MODULES

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Power - Max 1035W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Single 1200V 275A 1035W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 275A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
Series Amp+™
Package / Case Module
NTC Thermistor Yes
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Single
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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GSID150A120S6A4 Markenhersteller: Global Power Technologies Group, Bonchip Aktie, GSID150A120S6A4 Referenzpreis. GSID150A120S6A4 Parameter, GSID150A120S6A4 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden GSID150A120S6A4 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden GSID150A120S6A4 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, GSID150A120S6A4 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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