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IXBX75N170 Technische Spezifikationen

IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Test Condition -
Switching Energy -
Series BIMOSFET™
Power - Max 1040W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 580A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package PLUS247™-3
Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 350nC
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXBX75N170 IXYS Einzelne IGBTs
IXBX75N170A IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Einzel 2562
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