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IXFA4N100Q-TRL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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IXFA4N100P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2500
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IXFA4N100Q IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
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