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IXFB30N120P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package PLUS264™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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IXFB300N10P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2578
IXFB30N120Q2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2662
IXFB38N100Q2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2752

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