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IXFC36N50P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Package / Case ISOPLUS220™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
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IXFC30N60P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2780

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