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IXFH10N100P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3030pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IXFH10N100 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2782
IXFH10N100Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2668
IXFH10N60 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2895
IXFH10N65 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2993
IXFH10N80P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2643
IXFH10N80P IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXFH10N90 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2981

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