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IXFH4N100Q Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IXFH4N100Q Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXFH4N100Q Referenzpreis. IXFH4N100Q Parameter, IXFH4N100Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFH4N100Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFH4N100Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFH4N100Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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