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IXFH6N100Q Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFH60N20 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6174
IXFH60N20F IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2863
IXFH60N20F CMH82N25 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 427
IXFH60N25Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2848
IXFH60N50P3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23321
IXFH60N50P3 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXFH60N50P3 IC IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 1913
IXFH60N60 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 1
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