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IXFH75N10 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 37.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFH70N10 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 15
IXFH70N15 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2363
IXFH70N20Q3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2731
IXFH70N20Q3 CMH82N25 MOS IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 475
IXFH70N30Q3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2783
IXFH72N30X3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2755
IXFH74N10 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 4222
IXFH74N20 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
IXFH74N20P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2908
IXFH75N10Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2977

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