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IXFK88N30P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 300V 88A TO-264

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 44A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IXFK80N10Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
IXFK80N15Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2935
IXFK80N20 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2986
IXFK80N20Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2826
IXFK80N20S IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2775
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IXFK80N50Q3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2717
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IXFK80N65X2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2603

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