IXFN140N20P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 680W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 70A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115A
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