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IXFN21N100Q Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFN200N06 IXYS IGBT-Module 2706
IXFN200N07 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2857
IXFN200N10L2 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2868
IXFN200N10P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2268
IXFN20N120 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2889
IXFN20N120P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2929
IXFN20N120P IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXFN20N50 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2979
IXFN210N20P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2774
IXFN210N30P3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2720

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IXFN21N100Q Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXFN21N100Q Referenzpreis. IXFN21N100Q Parameter, IXFN21N100Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFN21N100Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFN21N100Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFN21N100Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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