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IXFN40N90P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 695W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFN40-55 IGBT Module IGBT-Module 2911
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IXFN40N110 IXYS IGBT-Module 2556
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IXFN420N10T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5384
IXFN420N10T IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
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