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IXFN64N50P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 700W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 32A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 61A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFN60GT60JRDX APT IGBT-Module 2982
IXFN60N50L2 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2783
IXFN60N60 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2867
IXFN60N80 IXYS IGBT-Module 2986
IXFN60N80P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1231
IXFN61N50 IXYS IGBT-Module 2897
IXFN61N60 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2991
IXFN62N80Q3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2967
IXFN64N20 IXYS IGBT-Module 2862
IXFN64N50 IXYS IGBT-Module 2711

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