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IXFN80N48 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9890pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 480V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A |
IXFN80N48 Unterlagen
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-
Datenblätter
IXFN80N48.pdf
Andere schließen ein "IXFN8" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IXFN8'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IXFN80N10 | IXYS | IGBT-Module | 2733 |
IXFN80N10S1 | IXYS | IGBT-Module | 2767 |
IXFN80N50 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2782 |
IXFN80N50P | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2702 |
IXFN80N50Q | IXYS | IGBT-Module | 2762 |
IXFN80N50Q2 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2708 |
IXFN80N50Q3 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2531 |
IXFN80N60BD1 | IXYS | IGBT-Module | 2851 |
IXFN80N60P | IXYS Corporation | Spezialisierte heiße ICs | 2835 |
IXFN80N60P3 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2921 |
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