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IXFP36N20X3 Technische Spezifikationen

200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 18A, 10V
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1425pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 36A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFP30N25X3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2654
IXFP30N25X3M IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2540
IXFP30N60X IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2790
IXFP34N65X2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2619
IXFP34N65X2M IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2751
IXFP36N20X3M IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2661
IXFP36N30P3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2520
IXFP38N30X3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2764
IXFP38N30X3M IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2674
IXFP3N120 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5478

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