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IXFP5N50P3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar3™
Power Dissipation (Max) 114W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFP56N30X3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2593
IXFP56N30X3M IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 40
IXFP5N100P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2511
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IXFP5N50PM IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2584
IXFP5N90P IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 44

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